HED型Wafer/ESD/TCP試驗(yàn)機(jī)阪和電子工業(yè)本裝置能夠測量以往TLP無法覆蓋的高電壓、大電流特性,在獲取、分析高耐壓元件的動作參數(shù)上發(fā)揮作用。
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HED型Wafer/ESD/TCP試驗(yàn)機(jī)阪和電子工業(yè)
HED型Wafer/ESD/TCP試驗(yàn)機(jī)阪和電子工業(yè)
Wafer ESD測試儀型號:HED-W5000M-WFC
在集成電路中安裝的保護(hù)電路的動作參數(shù)的收集和分析中,TLP測試裝置發(fā)揮了很大的作用,但是在半導(dǎo)體的微細(xì)化進(jìn)程中,為了提高ESD抗藥性,需要進(jìn)一步的保護(hù)電路的開發(fā)速度。
HED-W5000M-WFC測試儀可以觀測實(shí)際加入設(shè)備的ESD波形,因此在保護(hù)電路參數(shù)的收集、分析、開發(fā)速度的縮短上發(fā)揮了很大的作用。
TCP試驗(yàn)機(jī)
型號:HED-5000VF
裝備著的測試模式。設(shè)置了施加脈沖寬度100ns/200ns的正常測試和將施加幅度縮小到1ns的VFTTLP(Very Fast TLP)的測試模式。
對ESD耐性的HBM/CDM測試的驗(yàn)證有效??梢酝ㄟ^標(biāo)準(zhǔn)裝備的示波器確認(rèn)設(shè)備引腳的入射波和來自設(shè)備自旋的反射波。
此數(shù)據(jù)將被保存,并在監(jiān)視器中顯示。用監(jiān)視器可以跟蹤入射波/反射波的合計(jì)值、坐標(biāo)回特性、Vf/Im測量的泄露測量值等。
保存的示波器數(shù)據(jù)允許高自由度運(yùn)算。例如,對于改變了工序的晶體管的ON電壓和保護(hù)電路中流通的大電流值,可以通過重疊跟蹤來確認(rèn)差分。
此外,還可與半自動程序等連接,使TLP測試自動化。
因?yàn)榭梢赃M(jìn)行Wafer上施加的銷和芯片之間的自動移位、自動測量,所以測試效率大大提高。
型號:HED-5000-HC
現(xiàn)在,設(shè)備對于高集成、高頻、高耐壓的需求正在提高。
LD/LED ESD試驗(yàn)機(jī)
應(yīng)用→測量→自動重復(fù)獲取施加電壓的周期數(shù)據(jù)。激光二極管的輸出電平(功率)的觀測由光電二極管進(jìn)行。顯示全部施加后的光輸出特性(IL),可以看到破壞的過程。2波長的激光二極管的測量一次就可以。具有泄露(Vf/Im,Im/Vf)測量功能,同時可以進(jìn)行Vf/Im,Im/Vf測量。
隨著設(shè)備的精細(xì)化,LSI的電源電壓有下降的傾向。伴隨著這個,活動也有下降的傾向,作為試驗(yàn)項(xiàng)目被重視。
另外,幾乎所有的LSI都是將I/O端子發(fā)出的噪音集中到電源和GND上的構(gòu)造,因此很有可能引起電源/GND的急劇變動,因此確認(rèn)其影響很重要。
以前,在ESD槍上施加脈沖的情況下,即使以正極性施加,LSI針上出現(xiàn)的對電源電壓的噪聲也會產(chǎn)生振動波形。
特別是在正方向和負(fù)方向的誤動作的斷點(diǎn)不同的情況下,盡管是正極性施加,但也有可能發(fā)生超過負(fù)方向的斷點(diǎn)而導(dǎo)致的誤動作。在HIT-5000中,通過加入矩形波,可以分別對正方向和負(fù)方向進(jìn)行評價。
靜電可視化監(jiān)視器
HSK-5008L靜電可視化監(jiān)視器
手持式靜電可視化監(jiān)視器。
配備8個線性傳感器,可輕松確認(rèn)靜電的帶電狀態(tài)。
與PC連接后,可使用軟件確認(rèn)靜電帶電狀態(tài),確認(rèn)數(shù)值數(shù)據(jù),保存測量數(shù)據(jù)。
HSK-5064靜電可視化監(jiān)視器
手持式靜電可視化監(jiān)視器。
64個傳感器可以同時和高速測量100mm×100mm的寬區(qū)域。
本產(chǎn)品不會錯過區(qū)域內(nèi)的帶電部分,還可以實(shí)時監(jiān)控靜電的帶電形狀和經(jīng)過時間的帶電動作。
與HSK-5008L相同,可使用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)保管和再生。
HSK-V5000B靜電可視化監(jiān)視器
安裝型酒吧類型的靜電可視化監(jiān)視器。
安裝在測量對象物的附近,可以以面為單位監(jiān)視時常帶電量,并且可以瞬間捕捉到大范圍的帶電量,是劃時代的裝置。(例)膠片、液晶面板、紙等
根據(jù)您的要求,可以靈活地定制測量范圍、傳感器的數(shù)量等。